MOS管與晶體管的差異：
雙極晶體管：要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
MOSFET：在柵極端子和源極端子之間施加電壓時(shí)，MOSFET 在漏極中產(chǎn)生電流。MOSFET 的柵極是一層二氧化硅。由于該柵極與源極隔離，向柵極端子施加直流電壓理論上不會(huì)在柵極中產(chǎn)生電流（在柵極充電和放電的瞬態(tài)產(chǎn)生的電流除外）。
實(shí)踐中，柵極中會(huì)產(chǎn)生幾納安的微弱電流
當(dāng)柵極端子和源極端子之間無(wú)電壓時(shí)，由于漏源極阻抗極高，因此漏極中除泄漏電流之外無(wú)電流。
MOS管特性：
由于 MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件（G極加電壓控制電流），因此無(wú)直流電流流入柵極。
要開(kāi)通 MOSFET，必須對(duì)柵極施加高于額定柵極閾值電壓 Vth 的電壓。
處于穩(wěn)態(tài)開(kāi)啟或關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)基本無(wú)功耗（但是請(qǐng)注意交叉點(diǎn)附近，就是電壓下降與電流上升導(dǎo)致的功耗）。
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器輸出看到的 MOSFET 柵源電容根據(jù)其內(nèi)部狀態(tài)而有所不同。
MOSFET 通常被用作頻率范圍從幾 kHz 到幾百 kHz 的開(kāi)關(guān)器件。這點(diǎn)尤其需要注意。
MOS管最基本的驅(qū)動(dòng)電路
如下所示為MOS管最為基本的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，R1為限流電阻，來(lái)限制柵極在剛開(kāi)始時(shí)的充電電流大小，電阻的加入會(huì)使得MOS開(kāi)啟速度減慢，但是可以減小EMC風(fēng)險(xiǎn)。
R2電阻是放電電阻，一是當(dāng)系統(tǒng)未加電控制時(shí)，該電阻可以泄放積累在柵極的電荷，防止靜電擊穿；二是當(dāng)G極驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí)，泄放G極電荷，使得G極快速的變?yōu)?電位。
這種驅(qū)動(dòng)方式在實(shí)際中很常見(jiàn)，多見(jiàn)于直接使用控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)的方式，個(gè)人覺(jué)得也是最為實(shí)用的驅(qū)動(dòng)方式。
驅(qū)動(dòng)邏輯就是高電平驅(qū)動(dòng)開(kāi)啟MOS管；低電平驅(qū)動(dòng)關(guān)閉MOS管。
推挽電路驅(qū)動(dòng)，推挽電路驅(qū)動(dòng)主要是在需要外部電源時(shí)我們使用的，需要使用兩個(gè)三極管，請(qǐng)注意必須要NPN和PNP才可以。
高電平時(shí)，上管NPN開(kāi)啟，下管PNP關(guān)閉；此時(shí)MOS管狀態(tài)為驅(qū)動(dòng)開(kāi)啟；
低電平時(shí)，上管NPN關(guān)閉，下管PNP開(kāi)啟，此時(shí)MOS管狀態(tài)為驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。
但是實(shí)際需要考慮晶體管完全開(kāi)啟時(shí)的Vce電壓。
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