驅(qū)動電路設(shè)計基本要求
SiC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求主要有:
①驅(qū)動電流要足夠大，以縮短米勒平臺的持續(xù)時間使驅(qū)動脈沖前后沿足夠陡峭，尤其在多管并聯(lián)的工況下;
②驅(qū)動回路的驅(qū)動電阻要小，導(dǎo)通時能夠快速對柵極電容充電，關(guān)斷時柵極電容能夠快速放電，以加快SiC MOSFET的開關(guān)響應(yīng)速度;
③為了保證SiC MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，柵極驅(qū)動電壓應(yīng)高于器件的開啟電壓;
④驅(qū)動電路采用負(fù)壓關(guān)斷，防止誤導(dǎo)通，增強(qiáng)其抗干擾能力;
⑤需具有小的寄生電感，減小系統(tǒng)的振蕩;
⑥為了保證控制電路的正常運(yùn)行，驅(qū)動電路和功率電路之間要有隔離;
⑦需具有必要的驅(qū)動保護(hù)電路。
驅(qū)動電路原理
基于ACPL－355JC光耦驅(qū)動模塊設(shè)計了SiC MOSFET驅(qū)動和保護(hù)電路，該電路由輸入驅(qū)動信號調(diào)理電路、驅(qū)動保護(hù)電路和故障反饋電路等三部分構(gòu)成。
輸入驅(qū)動信號調(diào)理電路對脈沖使能信號等進(jìn)行緩沖、整形處理，來提高輸入驅(qū)動信號的質(zhì)量;驅(qū)動保護(hù)電路對輸入驅(qū)動信號進(jìn)行放大，來驅(qū)動SiC MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷以及在SiC MOSFET發(fā)生短路過流、驅(qū)動電源欠壓等故障時起保護(hù)作用;故障反饋電路將驅(qū)動保護(hù)電路的故障結(jié)果反饋給控制電路。驅(qū)動電路原理如圖2所示。
ACPL－355JC為光耦隔離驅(qū)動模塊，具有最大2262V的工作絕緣電壓，能完美實(shí)現(xiàn)功率電路和驅(qū)動電路的電氣隔離功能;最高開關(guān)頻率可達(dá)1MHz，最大傳輸延遲時間只有150ns，能夠滿足SiC MOSFET高頻通斷的要求。
ACPL－355JC有兩個故障報告機(jī)制，即正輸出電源電壓(VDD2)的欠壓保護(hù)(UVLO)和過流保護(hù)(FAULT)，UVLO故障優(yōu)先級最高，F(xiàn)AULT故障次之。在過電流故障條件下，通過SS引腳軟關(guān)斷，關(guān)斷速率可以通過電阻Ｒ51調(diào)整。最大10A的驅(qū)動峰值電流足以同時驅(qū)動兩個并聯(lián)的SiC MOSFET。
驅(qū)動電阻 ( ＲG) 設(shè)計
ＲG的大小對 SiC MOSFET 開關(guān)速度、電壓尖峰、開關(guān)過程的振蕩以及系統(tǒng)效率都有較大的影響，合適的 ＲG對于系統(tǒng)整體性能具有至關(guān)重要的影響。實(shí)驗(yàn)前需要通過理論計算選擇一個較合適的ＲG值。
首先，SiC MOSFET 和 ＲG可以認(rèn)為是一個簡單的 ＲC 電 路，電 壓 由 ACPL － 355JC 提 供。根 據(jù)ACPL－355JC的正、負(fù)輸出電源電壓 ( VDD2和 VSS2)以及最大驅(qū)動峰值電流 ( IO，PEAK= 10 A) 來計算 ＲG最小值 ( ＲG，MIN) ，即
式中 ＲOUT，MIN為 ACPL－355JC 內(nèi)部的最小柵極輸出電阻。根據(jù)式 ( 1) 可以求得 ＲG，MIN= 1. 6 Ω。ＲG和 ＲOUT，MIN將確保輸出電流不會超過 ACPL－355JC 的絕對最大額定值 10 A。
其 次，根 據(jù)ACPL－355JC 的最大輸出驅(qū)動功率 ( PO，MAX) 來計算 ＲG。ACPL－355JC 實(shí)際輸出驅(qū)動功率 ( PO) 計算公式為
式中: PO，BIAS為輸出保持功率; PO，SWITCHING為驅(qū)動開關(guān)功率; PHS和 PLS分別為驅(qū)動導(dǎo)通和關(guān)斷功率;IDD2為 ACPL － 355JC 的 工 作 電 流; QG 為 SiC MOSFET 的 柵 極 電 荷; f 為 驅(qū) 動 開 關(guān) 頻 率;ＲOUTN，MAX和 ＲOUTP，MAX分別為 ACPL－355JC 的最大柵極關(guān)斷和導(dǎo)通輸出電阻。
由式 ( 2) ～ ( 4) 可以求得 PO≈170 mW。因?yàn)閮蓚€并聯(lián) SiC MOSFET 的輸出驅(qū)動功率為2PO≈340 mW，小于 PO，MAX= 600 mW，所以選擇ＲG= 2. 5 Ω，此時 ACPL－355JC 能夠驅(qū)動兩個并聯(lián)的 SiC MOSFET。
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