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MOSFET與IGBT的工作區(qū)命名解析
2022-05-18
MOSFET與IGBT的工作區(qū)命名解析先來(lái)看看MOSFET輸出特性曲線的幾個(gè)工作區(qū)：圖1 MOSFET輸出特性曲線①正向阻斷區(qū)（也稱(chēng)為截止區(qū)，夾斷區(qū)）：
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比較-半導(dǎo)體制冷與壓縮機(jī)制冷哪個(gè)好
2022-05-17
比較-半導(dǎo)體制冷與壓縮機(jī)制冷哪個(gè)好半導(dǎo)體制冷器是指利用半導(dǎo)體的熱-電效應(yīng)制取冷量的器件，又稱(chēng)熱電制冷器。用導(dǎo)體連接兩塊不同的金屬，接
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MOS集成邏輯門(mén)電路圖解
2022-05-17
MOS集成邏輯門(mén)電路圖解(1)nmos反相器設(shè)電壓vdd = 10v，開(kāi)啟電壓vt1 = vt2 = 2v1、a輸入高電平vih = 8vt1、t2均導(dǎo)通，輸出為低電平v
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電感的頻率特性與等效電路介紹
2022-05-16
電感的頻率特性與等效電路介紹什么是電感的頻率特性首先，電感（線圈）具有以下基本特性，被稱(chēng)為電感的感性電抗(1) 直流基本上直接流過(guò)(2)
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電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的MOS冗余驅(qū)動(dòng)介紹
2022-05-16
電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的MOS冗余驅(qū)動(dòng)介紹電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下，實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)
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二極管負(fù)鉗位器電路比較解析
2022-05-16
二極管負(fù)鉗位器電路比較解析鉗位電路簡(jiǎn)介1、功能：將輸入信號(hào)上移或下移，并不改變輸入信號(hào)的波形。2、基本元件：二極管D、電容器C及電阻器
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MOSFET正向?qū)?反向?qū)ǖ刃щ娐方榻B
2022-05-14
MOSFET正向?qū)?反向?qū)ǖ刃щ娐方榻B功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說(shuō)明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，
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關(guān)于PN結(jié)正向?qū)▓D文介紹
2022-05-14
關(guān)于PN結(jié)正向?qū)▓D文介紹（1）PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通如果電源的正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū)，外加的正向電壓有一部分降落在P
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電子元器件-IC封裝常識(shí)圖解
2022-05-14
電子元器件-IC封裝常識(shí)圖解一、什么叫封裝封裝，就是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接，封裝形式是指安裝
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芯片,集成電路,IC之間的關(guān)系和區(qū)別
2022-05-13
芯片,集成電路,IC之間的關(guān)系和區(qū)別一、什么是芯片芯片，又稱(chēng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成電路（integrated circuit
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單端變壓器耦合MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析
2022-05-13
單端變壓器耦合MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析MOS管隔離驅(qū)動(dòng)電路，如果驅(qū)動(dòng)高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動(dòng)的方式和集成的高邊開(kāi)關(guān)。這兩個(gè)解決方案
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MOS管最大耐壓值的反激變壓器設(shè)計(jì)介紹
2022-05-13
MOS管最大耐壓值的反激變壓器設(shè)計(jì)介紹由變換器預(yù)定技術(shù)指標(biāo)可知變壓器初級(jí)側(cè)電壓Vdcmin= 240 V, Vdcmax= 380 V, 預(yù)設(shè)效率η= 85%